恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈鸿霖获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利非易失性存储器单元及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109841627B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810538674.5，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权非易失性存储器单元及其形成方法是由陈鸿霖;江文智;陈柏铭;林炫政;王泽豪设计研发完成，并于2018-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器单元及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开一种非易失性存储器单元。在一个实例中，所述非易失性存储器单元包括：衬底；第一氧化物层，位于所述衬底之上；浮动栅极，位于所述第一氧化物层之上；第二氧化物层，位于所述浮动栅极之上；以及控制栅极，至少局部地位于所述第二氧化物层之上。所述第一氧化物层及所述第二氧化物层中的至少一者包含氟。
本发明授权非易失性存储器单元及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器单元，其特征在于，包括：衬底；第一氧化物层，位于所述衬底之上；浮动栅极，位于所述第一氧化物层之上；第二氧化物层，位于所述浮动栅极之上；以及控制栅极，至少局部地位于所述第二氧化物层之上，其中所述第二氧化物层包含氟离子，所述氟离子是穿过所述控制栅极被掺杂到所述第二氧化物层中，其中所述控制栅极的第一部分横向延伸超出所述第二氧化物层的侧壁并延伸至所述衬底上，且所述氟离子被掺杂到所述控制栅极的所述第一部分与所述衬底之间的交叠区域中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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