恭喜罗伯特·博世有限公司A.奥厄获国家专利权
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龙图腾网恭喜罗伯特·博世有限公司申请的专利用于运行半导体存储器的方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109085998B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810606505.0，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权用于运行半导体存储器的方法和设备是由A.奥厄;J.帕莱巴斯;U.黑勒设计研发完成，并于2018-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于运行半导体存储器的方法和设备在说明书摘要公布了：本发明涉及用于运行半导体存储器的设备和方法，其特征在于以下特征：‑半导体存储器根据所述半导体存储器的所设置的应用在第一运行状态中和或第二运行状态中被运行；‑在所述第一运行状态中，所述半导体存储器存储所述应用的机器代码；和‑在所述第二运行状态中，所述半导体存储器存储所述应用的应用数据。
本发明授权用于运行半导体存储器的方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种用于运行半导体存储器的方法10，其特征在于以下特征：-所述半导体存储器是非易失性半导体存储器并且根据所述半导体存储器的所设置的应用在第一运行状态12中和或第二运行状态13中被运行；-在所述第一运行状态12中，所述半导体存储器长期存储所述应用的机器代码24，直至获得用于更新所述应用的新机器代码为止；和-在所述第二运行状态13中，所述半导体存储器以与RAM相当的写入速率用作RAM替代者并以短的存储器循环时间而短期存储所述应用的应用数据25。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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